美光预告 G11 NAND：超 400 层堆叠，双倍密度，2027H2 产能爬坡
美光在年度技术网络研讨会上预告了 G11 NAND 闪存，跳过了 G10 世代：堆叠超过 400 层，应用晶圆对晶圆键合技术，按面积计算的存储密度是现有 276 层 G9 NAND 的 2 倍左右，I/O 速率至高 1.5 倍，数据传输能耗则可减少 25% 以上，预计 2027 年下半年产能爬坡。美光还介绍了两种 AI-class 数据中心级 NAND 设计，包括基于 SLC 的 GPU 直连 IOPS 优化产品。为什么重要：专为 AI 数据中心打造的更高密度、更快闪存，改变了喂给 GPU 的存储层级经济学——这是 AI 基础设施竞赛中安静但战略性的一条战线。
报道来源
- IT之家2026-10-22 02:05