英飞凌将向奥地利工厂投资 11 亿欧元，目标量产 300 毫米晶圆氮化镓功率半导体
英飞凌计划到 2034 年向奥地利菲拉赫工厂投入约 11 亿欧元，建立全球首个基于 300 毫米晶圆的新一代氮化镓功率半导体大规模生产基地。该基地计划 2027 年底投产，利用现有及升级后的洁净室设施实现产能扩张。这很重要，因为把氮化镓做到 300 毫米晶圆被视为实现大规模生产、扩大产能的关键一步。
报道来源
- 36氪 AI2026-10-27 08:42
英飞凌计划到 2034 年向奥地利菲拉赫工厂投入约 11 亿欧元，建立全球首个基于 300 毫米晶圆的新一代氮化镓功率半导体大规模生产基地。该基地计划 2027 年底投产，利用现有及升级后的洁净室设施实现产能扩张。这很重要，因为把氮化镓做到 300 毫米晶圆被视为实现大规模生产、扩大产能的关键一步。