美光认为 4F² DRAM 内存无可行扩展路径，押注 3D DRAM 与晶圆键合、High NA EUV
美光在 2026 年度技术研讨会上表示，经过二十多年探索，4F² DRAM 因复杂度与成本问题没有可行的规模化路径，公司选择 3D DRAM 作为未来发展方向。其第 7 代 10nm 级节点 1δ 已处良率爬坡阶段，可带来约 25% 的密度提升；第 8 代节点 1ε 引入晶圆键合；早期开发中的第 1 代亚 10nm 节点 ζÅ 将导入 High NA EUV 光刻。这条路线图之所以重要，是因为 DRAM 微缩直接决定未来十年 AI 内存（含 HBM5）的供给格局。
报道来源
- IT之家2026-10-22 01:31