消息称，Groq 计划在下一代推理芯片中堆叠 DRAM，以绕开 SRAM 容量过小的限制。

据行业消息，Groq 下一代推理芯片将采用 3D 堆叠 DRAM（代号 3DS），以突破 SRAM 容量瓶颈：现有 Groq 3 LPU 的 256 芯片机架仅能容纳 128GB 内存，而一个 8bit 万亿参数模型仅权重就需要约 2000 颗芯片。报道中的 3DS 方案通过硅通孔将 DRAM 裸片垂直互连、采用标准 DRAM 接口，主要以普通 DRAM 速度增加容量；另一条混合键合路线则有望实现约 10 倍于 HBM 的带宽密度、每比特能耗降低 77–83%。为什么重要：SRAM 优先设计的容量天花板正在成为普遍约束——Cerebras 也计划在 CS-6 晶圆上堆叠 DRAM，键合方式的选择将决定下一代推理芯片的速度与能效。

• Rohan Paul2026-10-21 08:09
• IT之家2026-10-21 03:24